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金屬封裝之Cu基符合材料進一步開發
2017-08-31

在Cu基符合材料的基礎上,金屬封裝還可以被優化多少?下面科偉特小編就給大家詳細講解一下。


通過將高CTECu高壓軋制到低CTE的金屬或合金基體材料上,然后退火形成固溶連接,可以制備出呈三明治結構的覆Cu材料,這是一種CTE可調、熱導率可變的疊層復合材料。封裝中所用的兩種主要包覆Cu材料為CuInvarCu(CIC)CuMoCu(CMC)

 

CICZ方向熱導率較低,這與夾心的Invar熱導率低有關。CIC具有良好的塑性、沖裁性以及EMIRFI屏蔽性,除了用于印制板外,還可用于固體繼電器封裝、功率模塊封裝及氣密封裝的底座等。CMC可沖裁,無磁性,界面接合強,可承受反復850℃熱沖擊。由于其CTE可調整,故能與可伐合金側墻可靠地焊接。CMC復合材料已用來制作微波/射頻外殼、微米波外殼,功率晶體管、MCM的底座,光纖外殼、光電元件基板,激光二極管、蓋板、熱沉和散熱片等。 

 

CuMo基礎上,Polese公司開發了CuMo-CuCu材料,以滿足對可控CTE、高熱導和高電導的需要。20037月第一種厚度比為1-41CuMo-CuCu上市,其25-400cC的熱導率為300W(m-1K-1)CTE70×10-6-8×10-6K-1,密度為945gcm-3。可用于微波載體和熱沉、微電子封裝底座、GaAs器件安裝和SMP導體。

 

此外,美國的PolymetallurgicalAnomet等公司還生產了用于玻璃與金屬封接的銅芯引線。銅芯外邊可以是52合金(Fe-50Ni,中國牌號4J50)、可伐合金(Fe-29Ni-17Co)42-6合金(Fe-42Ni-6Cr等膨脹材料。二者之間完全冶金結合,具有良好的機械強度、韌性和氣密性,既提供了銅的高導電能力,又提供了膨脹材料與玻璃氣密封接能力。銅芯與低膨脹合金半徑可以是任何比值,標準比值是2131。在比值為31時,銅芯引線的導電率為14IACS,即電阻率為12μΩ·cm


通過上述講解,相信大家對Cu基符合材料有了更深的了解,要是大家對金屬封裝感興趣。可以直接和科偉特在線客服進行即時交流。歡迎廣大客戶前來咨詢和選購!

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